此前在公布了2025財年第二財季（截至2024年7月28日）財報時，英偉達創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛先生承認了前一段時間的媒體的報道，Blackwell架構(gòu)產(chǎn)品生產(chǎn)上出現(xiàn)了一些問題，導(dǎo)致較低的良品率，從而影響了出貨。英偉達在一份聲明中表示，對Blackwell架構(gòu)GPU的掩膜進行了改動，以提高產(chǎn)量。
近日有網(wǎng)友透露，英偉達Blackwell架構(gòu)產(chǎn)品的生產(chǎn)問題不僅僅影響到數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品，也波及到了即將發(fā)布的新一代游戲顯卡，相關(guān)的芯片也需要修改掩膜設(shè)計并重新流片。據(jù)了解，英偉達共修改了八款4nm產(chǎn)品的設(shè)計。按照目前數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品延后出貨的情況來看，GeForce RTX 50系列的發(fā)布和上市時間表可能也會相應(yīng)延期，傳聞發(fā)布時間已經(jīng)從今年第四季度延至CES 2025。
此外，GeForce RTX 50系列顯卡的功耗可能也會有所增加，越高端的型號，增加的部分越明顯，不同型號的增幅在20W到50W之間。不過距離新顯卡的發(fā)布還有至少幾個月的時間，不排除英偉達在最后階段還會進行調(diào)整，在過去這樣的事情也曾發(fā)生過。
根據(jù)之前的說法，Blackwell架構(gòu)GPU是首批采用臺積電CoWoS-L封裝的產(chǎn)品，其使用RDL中間層與LSI橋接器連接小芯片，可實現(xiàn)約10Tb/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。由于GPU芯片、RDL中間層、LSI橋接器、以及基板之間的熱膨脹系數(shù)（CTE）不匹配，容易導(dǎo)致翹曲和系統(tǒng)故障。為此英偉達不得不重新設(shè)計GPU芯片的頂層金屬層和凸塊，以提高良品率。